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  • 零件编号 WNSC2D12650TJ
    产品分类 单二极管
    描述 DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
    封装 卷带式 (TR)
    数量 3185
    价格 $1.6500
    RoHS状态 NO
    规格
    PDF(1)
    类型描述
    制造商WeEn Semiconductors Co., Ltd
    系列-
    包裹卷带式 (TR)
    产品状态ACTIVE
    包装/箱4-VSFN Exposed Pad
    安装类型Surface Mount
    速度No Recovery Time > 500mA (Io)
    反向恢复时间 (trr)0 ns
    技术SiC (Silicon Carbide) Schottky
    电容@Vr, F380pF @ 1V, 1MHz
    电流 - 平均整流 (Io)12A
    供应商设备包5-DFN (8x8)
    工作温度 - 结175°C
    电压 - 直流反向 (Vr)(最大)650 V
    电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If1.7 V @ 12 A
    电流 - 反向漏电流@Vr60 µA @ 650 V