规格
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| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 4-VSFN Exposed Pad |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 反向恢复时间 (trr) | 0 ns |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| 电容@Vr, F | 778pF @ 1V, 1MHz |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 12A |
| 供应商设备包 | 4-DFN-EP (8x8) |
| 工作温度 - 结 | 175°C |
| 电压 - 直流反向 (Vr)（最大） | 650 V |
| 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If | 1.35 V @ 12 A |
| 电流 - 反向漏电流@Vr | 120 µA @ 650 V |