title
  • image of 单 FET、MOSFET>TPH3205WSBQA
  • image of 单 FET、MOSFET>TPH3205WSBQA
  • 零件编号 TPH3205WSBQA
    产品分类 单 FET、MOSFET
    描述 GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
    封装 管子
    数量 200
    价格
    RoHS状态 NO
    规格
    PDF(1)
    PDF(2)
    类型描述
    制造商Transphorm
    系列-
    包裹管子
    产品状态OBSOLETE
    包装/箱TO-247-3
    安装类型Through Hole
    工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
    技术GaNFET (Gallium Nitride)
    场效应管类型N-Channel
    电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C35A (Tc)
    Rds On(最大)@Id、Vgs62mOhm @ 22A, 8V
    功耗(最大)125W (Tc)
    Vgs(th)(最大值)@Id2.6V @ 700µA
    供应商设备包TO-247-3
    年级Automotive
    驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
    Vgs(最大)±18V
    漏源电压 (Vdss)650 V
    栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs42 nC @ 8 V
    输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2200 pF @ 400 V
    资质AEC-Q101