规格
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| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 系列 | U-MOSIX-H |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 8-PowerVDFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | 175°C |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 2.9mOhm @ 35A, 10V |
| 功耗（最大） | 960mW (Ta), 81W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.1V @ 200µA |
| 供应商设备包 | 8-SOP Advance (5x5) |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 30 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 26 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 2300 pF @ 15 V |