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  • 零件编号 TP65H480G4JSG-TR
    产品分类 单 FET、MOSFET
    描述 GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
    封装 卷带式 (TR)
    数量 3015
    价格 $2.9700
    RoHS状态 NO
    规格
    PDF(1)
    类型描述
    制造商Transphorm
    系列-
    包裹卷带式 (TR)
    产品状态ACTIVE
    包装/箱3-PowerTDFN
    安装类型Surface Mount
    工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
    技术GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
    场效应管类型N-Channel
    电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C3.6A (Tc)
    Rds On(最大)@Id、Vgs560mOhm @ 3.4A, 8V
    功耗(最大)13.2W (Tc)
    Vgs(th)(最大值)@Id2.8V @ 500µA
    供应商设备包3-PQFN (5x6)
    驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)8V
    Vgs(最大)±18V
    漏源电压 (Vdss)650 V
    栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs9 nC @ 8 V
    输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds760 pF @ 400 V