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  • 零件编号 TP65H070G4QS-TR
    产品分类 单 FET、MOSFET
    描述 650 V 29 A GAN FET
    封装 卷带式 (TR)
    数量 200
    价格 $8.6100
    RoHS状态 YES
    规格
    PDF(1)
    类型描述
    制造商Transphorm
    系列-
    包裹卷带式 (TR)
    产品状态ACTIVE
    包装/箱8-PowerSFN
    安装类型Surface Mount
    工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
    技术GaNFET (Gallium Nitride)
    场效应管类型N-Channel
    电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C29A (Tc)
    Rds On(最大)@Id、Vgs85mOhm @ 16A, 10V
    功耗(最大)96W (Tc)
    Vgs(th)(最大值)@Id4.8V @ 700µA
    供应商设备包TOLL
    驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
    Vgs(最大)±20V
    漏源电压 (Vdss)650 V
    栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs8.4 nC @ 10 V
    输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds600 pF @ 400 V