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  • 零件编号 TP44400SG
    产品分类 单 FET、MOSFET
    描述 GAN FET HEMT 650V .36OHM 22QFN
    封装 卷带式 (TR)
    数量 3160
    价格 $2.1300
    RoHS状态 NO
    规格
    PDF(1)
    类型描述
    制造商Tagore Technology
    系列-
    包裹卷带式 (TR)
    产品状态ACTIVE
    包装/箱22-PowerVFQFN
    安装类型Surface Mount
    工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
    技术GaNFET (Gallium Nitride)
    场效应管类型N-Channel
    电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C6.5A (Tc)
    Rds On(最大)@Id、Vgs360mOhm @ 500mA, 6V
    Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 2.8mA
    供应商设备包22-QFN (5x7)
    驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)0V, 6V
    Vgs(最大)±20V
    漏源电压 (Vdss)650 V
    栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs0.75 nC @ 6 V
    输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds28 pF @ 400 V