规格
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| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Tagore Technology |
| 系列 | - |
| 包裹 | 托盘 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 30-PowerWFQFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 漏源电压 (Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 110pF @ 400V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 118mOhm @ 500mA, 6V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 3nC @ 6V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 11mA |
| 供应商设备包 | 30-QFN (8x10) |