规格
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| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 系列 | DTMOSIV |
| 包裹 | 管子 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-220-3 |
| 安装类型 | Through Hole |
| 工作温度 | 150°C |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 9.5A (Ta) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 550mOhm @ 4.8A, 10V |
| 功耗（最大） | 130W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4V @ 450µA |
| 供应商设备包 | TO-220 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 800 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 19 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 1150 pF @ 300 V |