规格
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| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 系列 | U-MOSIII |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 6-SMD, Flat Leads |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) |
| 工作温度 | 150°C |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率 - 最大 | 500mW (Ta) |
| 漏源电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 245pF @ 10V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 145mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 1.1V @ 100µA |
| 供应商设备包 | UF6 |