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  • 零件编号 SIR184LDP-T1-RE3
    产品分类 单 FET、MOSFET
    描述 N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
    封装 卷带式 (TR)
    数量 5783
    价格 $1.4700
    RoHS状态 YES
    规格
    PDF(1)
    类型描述
    制造商Vishay / Siliconix
    系列TrenchFET®
    包裹卷带式 (TR)
    产品状态ACTIVE
    包装/箱PowerPAK® SO-8
    安装类型Surface Mount
    工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
    技术MOSFET (Metal Oxide)
    场效应管类型N-Channel
    电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C21.5A (Ta), 73A (Tc)
    Rds On(最大)@Id、Vgs5.4mOhm @ 10A, 10V
    功耗(最大)5W (Ta), 56.8W (Tc)
    Vgs(th)(最大值)@Id3V @ 250µA
    供应商设备包PowerPAK® SO-8
    驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
    Vgs(最大)±20V
    漏源电压 (Vdss)60 V
    栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs41 nC @ 10 V
    输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1950 pF @ 30 V