规格
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| 类型 | 描述 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | 175°C (TJ) |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 81mOhm @ 12A, 18V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 4.8V @ 6.45mA |
| 供应商设备包 | TO-263-7LA |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 18V |
| Vgs（最大） | +21V, -4V |
| 漏源电压 (Vdss) | 1200 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 64 nC @ 18 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 1498 pF @ 800 V |