规格
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | pSemi |
| 系列 | UltraCMOS® |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 20-VFLGA Exposed Pad |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电路 | SP4T |
| 射频型 | 5G, Radar |
| 工作温度 | -40°C ~ 105°C |
| 插入损耗 | 2.9dB |
| 频率范围 | 9kHz ~ 52GHz |
| 拓扑结构 | Reflective |
| P1分贝 | 35dBm |
| 测试频率 | 45GHz |
| 隔离 | 41dB |
| 供应商设备包 | 20-LGA (3x3) |
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | pSemi |
| 系列 | UltraCMOS® |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 20-VFLGA Exposed Pad |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电路 | SP4T |
| 射频型 | 5G, Radar |
| 工作温度 | -40°C ~ 105°C |
| 插入损耗 | 2.9dB |
| 频率范围 | 9kHz ~ 52GHz |
| 拓扑结构 | Reflective |
| P1分贝 | 35dBm |
| 测试频率 | 45GHz |
| 隔离 | 41dB |
| 供应商设备包 | 20-LGA (3x3) |