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  • 零件编号 NVMFS4C306NT1G
    产品分类 单 FET、MOSFET
    描述 TRENCH 30V NCH
    封装 卷带式 (TR)
    数量 200
    价格 $1.6000
    RoHS状态 YES
    规格
    PDF(1)
    类型描述
    制造商Sanyo Semiconductor/onsemi
    系列-
    包裹卷带式 (TR)
    产品状态ACTIVE
    包装/箱8-PowerTDFN, 5 Leads
    安装类型Surface Mount
    工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
    技术MOSFET (Metal Oxide)
    场效应管类型N-Channel
    电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C20.6A (Ta), 71A (Tc)
    Rds On(最大)@Id、Vgs3.4mOhm @ 30A, 10V
    功耗(最大)3W (Ta), 36.5W (Tc)
    Vgs(th)(最大值)@Id2.1V @ 250µA
    供应商设备包5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    年级Automotive
    驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)4.5V, 10V
    Vgs(最大)±20V
    漏源电压 (Vdss)30 V
    栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs11.6 nC @ 4.5 V
    输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1683 pF @ 15 V
    资质AEC-Q101