规格
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | International Rectifier |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裹 | 散装 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 32-PowerVFQFN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | 2 N-Channel (Dual) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率 - 最大 | 156W (Tc) |
| 漏源电压 (Vdss) | 25V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 86A (Tc), 303A (Tc) |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 2.75mOhm @ 27A, 10V, 900µOhm @ 27A, 10V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA |
| 供应商设备包 | 32-PQFN (6x6) |
