title
  • image of 单 FET、MOSFET>IRFAC30
  • image of 单 FET、MOSFET>IRFAC30
  • 零件编号 IRFAC30
    产品分类 单 FET、MOSFET
    描述 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
    封装 散装
    数量 667
    价格 $5.1000
    RoHS状态 NO
    规格
    PDF(1)
    类型描述
    制造商International Rectifier
    系列HEXFET®
    包裹散装
    产品状态ACTIVE
    包装/箱TO-204AA, TO-3
    安装类型Through Hole
    工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
    技术MOSFET (Metal Oxide)
    场效应管类型N-Channel
    电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C3.6A (Tc)
    Rds On(最大)@Id、Vgs2.5Ohm @ 3.6A, 10V
    功耗(最大)75W (Tc)
    Vgs(th)(最大值)@Id4V @ 250µA
    供应商设备包TO-204AA (TO-3)
    驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
    Vgs(最大)±20V
    漏源电压 (Vdss)600 V
    栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs38 nC @ 10 V
    输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds630 pF @ 25 V