规格
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| 类型 | 描述 |
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 系列 | G3R™ |
| 包裹 | 管子 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-247-4 |
| 安装类型 | Through Hole |
| 技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 供应商设备包 | TO-247-4 |
| Vgs(最大) | +20V, -10V |
| 漏源电压 (Vdss) | 750 V |
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 系列 | G3R™ |
| 包裹 | 管子 |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-247-4 |
| 安装类型 | Through Hole |
| 技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 供应商设备包 | TO-247-4 |
| Vgs(最大) | +20V, -10V |
| 漏源电压 (Vdss) | 750 V |