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  • 零件编号 FESB8DT-M3/I
    产品分类 单二极管
    描述 DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
    封装 卷带式 (TR)
    数量 200
    价格
    RoHS状态 NO
    规格
    PDF(1)
    类型描述
    制造商Vishay General Semiconductor – Diodes Division
    系列-
    包裹卷带式 (TR)
    产品状态ACTIVE
    包装/箱TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
    安装类型Surface Mount
    速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    反向恢复时间 (trr)35 ns
    技术Standard
    电容@Vr, F85pF @ 4V, 1MHz
    电流 - 平均整流 (Io)8A
    供应商设备包TO-263AB (D2PAK)
    工作温度 - 结-55°C ~ 150°C
    年级Automotive
    电压 - 直流反向 (Vr)(最大)200 V
    电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If950 mV @ 8 A
    电流 - 反向漏电流@Vr10 µA @ 200 V
    资质AEC-Q101