规格
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| 类型 | 描述 |
| 制造商 | EPC |
| 系列 | eGaN® |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | Die |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 配置 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 漏源电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 9.5A, 38A |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA |
| 供应商设备包 | Die |