规格
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
PDF(4)
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | EPC |
| 系列 | eGaN® |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | Die |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 3.4A (Ta) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 30mOhm @ 1.5A, 5V |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.5V @ 1mA |
| 供应商设备包 | Die |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 5V |
| 漏源电压 (Vdss) | 15 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 0.93 nC @ 5 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 105 pF @ 6 V |