title
  • image of 单 FET、MOSFET>AS2312
  • image of 单 FET、MOSFET>AS2312
  • 零件编号 AS2312
    产品分类 单 FET、MOSFET
    描述 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
    封装 卷带式 (TR)
    数量 22636
    价格 $0.2700
    RoHS状态 YES
    规格
    PDF(1)
    类型描述
    制造商Anbon Semiconductor
    系列-
    包裹卷带式 (TR)
    产品状态ACTIVE
    包装/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    安装类型Surface Mount
    工作温度150°C (TJ)
    技术MOSFET (Metal Oxide)
    场效应管类型N-Channel
    电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C6.8A (Ta)
    Rds On(最大)@Id、Vgs18mOhm @ 6.8A, 4.5V
    功耗(最大)1.2W (Ta)
    Vgs(th)(最大值)@Id1V @ 250µA
    供应商设备包SOT-23
    驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)1.8V, 4.5V
    Vgs(最大)±10V
    漏源电压 (Vdss)20 V
    栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs11.05 nC @ 4.5 V
    输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds888 pF @ 10 V