规格
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| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| 系列 | - |
| 包裹 | 散装 |
| 产品状态 | OBSOLETE |
| 包装/箱 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| 安装类型 | Through Hole |
| 晶体管类型 | NPN |
| 工作温度 | 150°C (TJ) |
| Vce 饱和度（最大值）@Ib、Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
| 直流电流增益 (hFE)（最小值）@ Ic、Vce | 2000 @ 1A, 2V |
| 供应商设备包 | TO-92MOD |
| 集电极电流 (Ic)（最大） | 2 A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 120 V |
| 功率 - 最大 | 900 mW |